第331章 流片成功!(3 / 5)

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  掺杂深度分布不均匀。
  有的区域深了,有的区域浅了。
  像一块没发好的面,有些地方鼓著,有些地方瘪著。
  直接后果:晶片漏电。
  测试探针扎下去,电流一路跑偏,根本锁不住。
  苏佩兰试了七组参数,全部失败。
  “机器太老了。”
  她摘下防尘面罩,额头上全是汗。
  “束流不稳,真空也拉不到位。”
  车间里的气氛沉下去了。
  光刻过了,刻蚀过了,偏偏倒在了最基础的掺杂上。
  林希站在注入机旁边,手扶著冰凉的金属外壳。
  他闭上眼睛。
  脑海中,直播间的弹幕已经开始翻涌。
  【离子注入!关键参数来了!!!】
  【我查了771所这批机器的资料——核心问题是束流电流太低导致注入时间过长,硅片在真空腔里受热不均匀!】
  【解法很简单但很反直觉——把束流电流提上去!10ma!加速电压拉到50kev!让注入时间缩短,减少热积累!】
  【最关键的一步:真空度!必须拉到10的负5次方帕斯卡!不然残余气体会和离子束髮生散射,杂质分布肯定不均匀!】
  【对!这台老机器的分子泵其实能达到这个真空度,但出厂预设太保守了,得手动调旁通阀把抽速拉满!】
  林希睁开眼。
  “苏师傅。”
  苏佩兰回头。
  “束流电流调到10毫安。”
  “加速电压拉到50千电子伏特。”
  苏佩兰愣了一下。
  “电流10毫安?”
  “这台机器设计上限才8……”
  “旁通阀全开,把真空度拉到10的负5次方帕。”
  林希的声音很稳,
  “抽速够了以后,束流不会散。” ↑返回顶部↑

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